防雷(lei)(lei)工程(cheng)在做設計時(shi)，就(jiu)必須(xu)根據被保護(hu)對象的(de)組成、結構(gou)、防雷(lei)(lei)目的(de)等因素，將其分為(wei)不同的(de)防雷(lei)(lei)區，并(bing)針對不同的(de)防雷(lei)(lei)區采(cai)用不同的(de)防雷(lei)(lei)措施，例如浪涌保護(hu)器(qi)等。那么(me)，建筑(zhu)物防雷(lei)(lei)區域劃分的(de)原(yuan)則是什么(me)呢(ni)？今天鈞和電子針對這一話題做如下(xia)分享(xiang)：

根據雷電電磁脈沖（LEMP）的嚴重程度，將需要保護的空間內電磁環境有明顯改變作為劃分防雷區的特征。一般可分為LPZO_A、LPZO_B、LPZ1、LPZn+1區域，具體各區域分類如下：

1.LPZ0_A區

該區內(nei)的(de)(de)各物(wu)體都可(ke)能遭到直接雷(lei)擊(ji)，因此(ci)該區內(nei)的(de)(de)物(wu)體都可(ke)能導走全部雷(lei)電流。本區內(nei)的(de)(de)電磁場強度沒有衰減。

2.LPZ0_B區

該區內的各(ge)物體不太(tai)可能遭到(dao)直接雷(lei)擊，但本區內的電磁場強(qiang)度沒有(you)衰減。

3.LPZ1 區(qu)

該區內的各物體不可能遭到直接雷擊，流經各導體的電流比LPZ0_B區進一步減小。該區內的電磁場強度可能衰減，這取決于屏蔽措施。

4.LPZn+1

LPZn+1為后續(xu)防雷(lei)區，它是(shi)根據被(bei)保護系統的要求而確定進一步減小(xiao)流入的雷(lei)電流和電磁(ci)場強度時采取的措施。被(bei)保護對(dui)象(xiang)要求越(yue)高，防雷(lei)區的參(can)(can)數(shu)就越(yue)高，其電磁(ci)環境的參(can)(can)數(shu)就越(yue)低。

防(fang)(fang)(fang)雷(lei)(lei)區域的(de)(de)劃(hua)分為開展綜合的(de)(de)、系統的(de)(de)、精細(xi)化的(de)(de)防(fang)(fang)(fang)雷(lei)(lei)工程提供了科學(xue)的(de)(de)依據(ju)。由于每個區域面臨的(de)(de)雷(lei)(lei)擊情況不一樣，因此防(fang)(fang)(fang)雷(lei)(lei)措施也會有很大(da)的(de)(de)差異(yi)，我們在(zai)(zai)防(fang)(fang)(fang)雷(lei)(lei)工程中所使(shi)用到的(de)(de)分流、泄流和(he)阻斷(duan)電(dian)磁波入侵以及對(dui)被保(bao)護(hu)設(she)備進(jin)行屏(ping)蔽、等電(dian)位連接、浪涌保(bao)護(hu)器等防(fang)(fang)(fang)雷(lei)(lei)措施在(zai)(zai)各防(fang)(fang)(fang)雷(lei)(lei)區的(de)(de)分布也不一樣。