在防雷工程(cheng)中一項重要的(de)措施就是(shi)電(dian)(dian)磁屏蔽，應用到的(de)材料有(you)屏蔽線。今天，鈞和電(dian)(dian)子結(jie)合工程(cheng)實際情況來分享屏蔽線的(de)接地。

一是，屏蔽線的(de)作用(yong)

屏蔽線是(shi)專門采(cai)用的一種(zhong)帶金屬編織物外殼的導(dao)線，使用金屬網狀編織層把信(xin)號線包裹起來(lai)的傳輸線，編織層一般是紅銅或者鍍錫銅，能(neng)夠減少外(wai)(wai)電(dian)磁(ci)場對(dui)電(dian)源(yuan)或通信線路的(de)影響(xiang)，也(ye)有(you)防止線路向(xiang)外(wai)(wai)輻射電(dian)磁(ci)能的(de)作用。屏蔽層需要接(jie)地，外(wai)(wai)來的(de)干擾信號(hao)可被該層導(dao)入大地。

二是，屏蔽層接地

（一）根據(ju)《GB50217-1994電力(li)工程(cheng)電纜設計規范》——3.6.8控(kong)制(zhi)電纜金(jin)屬屏蔽的接地(di)方式，應(ying)符合下列規定(ding)：

1.計算機監控系統的(de)模擬信號回路控制電(dian)纜屏蔽層(ceng)，不得(de)構成兩點或多(duo)點接(jie)地，宜用集中式一(yi)點接(jie)地。

2.除（1）項等需要一點(dian)接(jie)(jie)地情況外的控制電(dian)纜屏蔽(bi)層，當電(dian)磁(ci)感(gan)應的干(gan)(gan)擾(rao)較(jiao)大，宜采(cai)用(yong)兩點(dian)接(jie)(jie)地；靜電(dian)感(gan)應的干(gan)(gan)擾(rao)較(jiao)大，可用(yong)一點(dian)接(jie)(jie)地。雙(shuang)重屏蔽(bi)或復(fu)合(he)式(shi)總屏蔽(bi)，宜對內、外屏蔽(bi)分用(yong)一點(dian)，兩點(dian)接(jie)(jie)地。

3.兩(liang)點(dian)接地的選擇，還宜考慮在(zai)暫態電流(liu)作用下(xia)屏蔽層不致被燒熔(rong)。

（二）根據《GB50057-2000建筑物防雷設計(ji)規范(fan)》——第6.3.1條規定：當采用屏(ping)蔽(bi)(bi)電(dian)(dian)纜時其(qi)屏(ping)蔽(bi)(bi)層(ceng)應(ying)至少在兩端(duan)等電(dian)(dian)位連(lian)接(jie)，當系統要求只在一端(duan)做等電(dian)(dian)位連(lian)接(jie)時，應(ying)采用兩層(ceng)屏(ping)蔽(bi)(bi)，外層(ceng)屏(ping)蔽(bi)(bi)按前(qian)述(shu)要求處理。其(qi)原理是(shi)：

1.單層屏(ping)蔽一端(duan)接地，不形成電(dian)位差，一般用于(yu)防靜電(dian)感應(ying)。

2.雙層(ceng)屏蔽(bi)，最外層(ceng)屏蔽(bi)兩端接(jie)地，內層(ceng)屏蔽(bi)一端等電(dian)位接(jie)地。此時，外層(ceng)屏蔽(bi)由于(yu)電(dian)位差而(er)感(gan)應出電(dian)流(liu)，因此產生降低源磁(ci)場強度的磁(ci)通，從而(er)基本上抵消(xiao)掉沒有外屏蔽(bi)層(ceng)時所感(gan)應的電(dian)壓。如果是(shi)(shi)防止靜電(dian)干擾，必須單點(dian)(dian)接(jie)地，不論是(shi)(shi)一層(ceng)還是(shi)(shi)二層(ceng)屏蔽(bi)。因為單點(dian)(dian)接(jie)地的靜電(dian)放(fang)電(dian)速度是(shi)(shi)最快的。

屏蔽(bi)電纜的(de)(de)屏蔽(bi)層主要由銅(tong)、鋁等非(fei)磁性(xing)材(cai)料制成，并且厚度很(hen)薄，遠小于使用頻(pin)率(lv)上金屬(shu)材(cai)料的(de)(de)集膚(fu)(fu)深(shen)度（所(suo)謂(wei)趨(qu)膚(fu)(fu)效應是(shi)指(zhi)電流在導(dao)體(ti)截面的(de)(de)分布隨頻(pin)率(lv)的(de)(de)升(sheng)高(gao)而趨(qu)于導(dao)體(ti)表面分布，頻(pin)率(lv)越高(gao)，趨(qu)膚(fu)(fu)深(shen)度越小，即頻(pin)率(lv)越高(gao)，電磁波的(de)(de)穿透能力越弱），屏蔽(bi)層的(de)(de)效果(guo)主要不(bu)是(shi)由于金屬(shu)體(ti)本身對電場、磁場的(de)(de)反射、吸收而產生的(de)(de)，而是(shi)由于屏蔽(bi)層的(de)(de)接地產生的(de)(de)，接地的(de)(de)形式不(bu)同將(jiang)直接影響屏蔽(bi)效果(guo)。

兩層屏蔽(bi)應是相互絕緣隔離(li)型(xing)屏蔽(bi)。如沒有彼此絕緣仍(reng)應視為(wei)單層屏(ping)蔽。

最外(wai)層(ceng)屏蔽(bi)兩端接地是由于引入(ru)的電(dian)位差而感應(ying)(ying)出(chu)電(dian)流，因(yin)此產(chan)生降低源磁(ci)場強(qiang)度的磁(ci)通，從而基本上抵消(xiao)掉沒有外(wai)屏蔽(bi)層(ceng)時(shi)所感應(ying)(ying)的電(dian)壓；而最內(nei)層(ceng)屏蔽(bi)一(yi)(yi)端接地，由于沒有電(dian)位差，僅用于一(yi)(yi)般防靜(jing)電(dian)感應(ying)(ying)。

更多防雷(lei)安全(quan)相關內容可隨時關注鈞和電(dian)子hld5.cn。